학술저널
본 연구에서는 열증착법을 이용하여 최근 광디바이스로 응용 가능한 나노핀 구조를 갖는 새로운 ZnO 입자를 제조하고자 하였다. Zn의 열증착시 전류의 양을 조절하여 구형의 Zn 입자를 형성한후, 공기중ㆍ대기압 분위기의 전기로에서 산화시켜, 표면이 나노핀 구조의 ZnO 나노 와이어들로 구성된 ZnO 입자를 제조하였다. SEM과 AES를 이용하여 분석한 결과, ZnO의 입자 크기는 20~50㎛ 였으며, 입자 표면 원자비가 1:1인 고품질의 ZnO 입자로 확인 되었다.
요약
1.서론
2.이론적 배경
3.실험방법
4.결과 및 고찰
5.결론
참고문헌
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