고온 열처리에 의한 초평탄 사파이어 기판의 제작

Fabrication of Atomically Rat Sapphire Substrate by High Temperature Annealing

어닐링 처리에 따른 사파이어 기판의 표면형상 거동을 관찰함으로서 원자수준의 표면 평탄도를 갖는 최적의 어닐링 조건을 찾고자 하였다. 시판되는 사파이어 기판의 표면평탄 도는 4nm 였다. 열처리온도 700℃에서 상업용 사파이어보다 개선된 표면평탄도를 갖는 원 자크기 수준의 스템이 형성되기 시작하였고, 800℃에서 스텝선이 관찰되었으며 1000℃ 이 상에서 스탭선은 직선의 형상이었다. 1000℃이상의 열처리로부터 표면평탄도는 4nm 에서 0.21nm 로 개선되어 약 20 배 정도의 개선효과를 나타내었다. l000℃ 에서 열처리 시간에 따른 표면형상을 관찰한 결과 30분이상 열처리하였을 경우 직선의 스텝선을 나타내는 평탄 한 표연이 형성되었다.

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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