고온 유도가열로를 이용한 SiC 분말 합성

Silicon Carbide Powder Synthesis in High Temperature Induction Furnace

화합물 반도체 재료 중 특히, 광역에너지 금지대역을 갖는 차세대 반도체로서 고주파, 고출력의 전자 기능과 광대역 파장의 광전 기능을 가지는 SiC 결정에 대한 연구가 활발하다. 하지만 SiC 단결정 성장용 고순도 원료분말에 대한 연구는 아직 미진한 실정이다. 본 연구에서는 SiC 단결정 성장에 사용되는 고주파 유도가열로를 이용하여 SiC 분말 합 성올 하고자 하였다. Si 2㎛, 45㎛ 분말과 C5㎛ 분말을 graphite 도가니에 1:1 비율 (mol%) 로 넣어 1800 "C -1900 "C 에서 450 ‘ 6OOTo π의 Ar 분위기로 5 시간 동안 유지하였다. 합성된 분말을 XRD 와 XPS 분석한 결과 a-SiC 로 나타났으며 Carbon 함량이 높게 나타났다. 차후 Carbon 의 함량을 줄일 수 있는 방안을 연구하여 순도가 99.9% 이상인 고순도의 SiC 분말 을 만들고자 한다.

Abstract

1. 서론

2. SiC 분말 합성

3. 실험 방법

4. 결과 및 고찰

5. 결론

참고문헌

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