승화법에 의한 SiC 단결정 성장조건 최적화

Growth Optimization for Sublimation Growth of SiC Single Crystal

차세대 실리콘을 대체할 소자로 고주파, 고출력의 전자 기능과 광대역 파장의 광전 기능, 그리고 극한환경에서 안정하게 작동할 수 있는 SiC 가 각광받고 있다. SiC 를 성장시키 기 위한 방법에는 승화법이라 불리는 기상물리이송법 (physic 외 Vapor Transport), 화학기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition), 액상에피텍시법(Liquid Phase Epitaxy) 동의 여러 가지 방법들이 있는데, 이들 중 차세대 반도체 생산라인 및 이의 적용을 위해서는 가장 빠른 생 산성올 갖는 PVT 법이 가장 적합하며 이에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있다 . 본 연구는 일반적으로 행해지고 있는 숭화법 보다 향상된 생산성 및 공정 시간의 단축을 위해 고진공 분위기에서 SiC 를 성장시키고자 하였다. 이를 위하여 성장장치를 자체 설계 ㆍ제작하였으며 성장조건을 최적화 시키고자 하였다.

Abstract

1. 서론

2. 승화법에 의한 SiC 단결정 성장

3. 실험 방법

4. 결과 및 고찰

5. 결론

참고문헌

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