승화법에 의한 SiC 단결정 성장

SiC Single Crystal Growth by sublimation

SiC 단결정을 성장시키는데 있어서 가장 빠른 성장 속도를 보이는 Sublimation method 를 이용하여 단결정을 성장시켰다. RF coil 의 hot zone 위치와 그라파이트 단열재의 구조 등을 제어함으로써 결정 성장 공간 내부에서 균일한 온도 profile 과 온도구배가 형성되어 SiC 단결정이 생성되는 환경을 조성하였다. 특히 RF coil 의 hot zone 위치가 결정의 성장률과 원료분말의 승화되는 구동력의 한 요인으로 작용하고, 그라파이트 단열 구조는 Ar gas 와 관계되어 온도구배를 일으키는 커다란 요인이라는 것을 밝혀냈다.

Abstract

1. 서론

2. 승화법을 이용한 SiC 단결정성장의 기본개념 및 성장 장치 구성

3. 발열체 위치 및 그라파이트 단열재 구조변화에 따른 SiC 결정의 성장 양상 변화

4. 결론

참고문헌

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