고정 주파수형 1 GHz 및 2 GHz FET 초고주파 발진기 설계

Design of Fixed- Frequency 1 GHz and 2 GHz Field-Effect Transistor Oscillators

무선통신 송신기 및 수신기용 필수 소자인 F 민‘를 사용하는 고정 주파수형 초고주파 발진기를 Ansoft 사의 Serenade Tool을 이용하여 1 GHz 및 2 GHz 에서 Kurokawa 이론을 바탕으로 각각 설계하였다. 설계에 사용한 소자는 n-type 의 h표 SFET 인 HP-AVANTEK 사의AT25170 을 선택하였다. FET는 2-포트 소자이므로 입력 포트 쪽의 불안정 영역을 확대해 그 영역에서 동작하도록 종단회로를 구성하여 종단시키고 출력 단에는 최대 전력을 얻는 정합조건 즉 load-pull 개념을 도입하여 설계하였다. 신호가 발생하게 되는 출력 포트에서 본 임피던스가 실수 성분 즉, 저항이 음의 값을 가지고 허수 성분 즉 리액턴스 성분이 zero 이면 발진기로 동작하여 가장 큰 신호 발진 조건이 된다. 1 GHz 로 설계된 회로의 시뮬레이션 발진 주파수는 1.05 GHz 로 나타났으며 이러한 차이는 부하저항 값을 입력 임피 던스의 ⅓ 로 설정한 데서 기인하였다.

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. FET 초고주파 발진기 이론

Ⅲ. One-Port Negative Resistance Oscillator 설계 이론

Ⅳ. Two-port Negative Resistance Oscillator 설계 이론

Ⅴ. GaAs MESFET Oscillator의 실제 설계 과정

Ⅵ. 결론

참고문헌

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