학술저널
본 연구에서는 W(100) single-crystal surface에 thermal evaporation deposition 방법을 이용하여 Au원자를 흡착 시킨 후 Au/W(100)계의 표면구조에 대하여 저에너지 전자회절(LEED) 및 저에너지 이온 산란 분광법(LEISS)를 이용하여 연구하였다. Au의 초기 흡착량(coverage)을 ∼2.0 ML로 한 후 850℃로 annealing 하였을 때 coverage는 ∼0.5 ML로 감소하고 표면은 c(2×2) 구조를 가지는 것으로 분석되었다. 저에너지 이온산란 분광법으로 Au원자의 기하학적인 흡착 위치를 조사한 결과, Au원자는 L,R. Clevenna와 L.D. Schmidt등이 binding orbital configuration을 이용하여 제시한 모델의 여러 흡착 site 중 A site에 해당되며 흡착 높이는 W(100) 표면으로부터 1.04Å인 것으로 밝혀졌다.
요약<BR>1. 서론<BR>2. 이론적 배경<BR>3. 실험방법<BR>4. 실험결과 및 분석<BR>5. 결론<BR>6. 참고문헌<BR>
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