CeO₂/YSZ/Si와 CeO₂/Si 위에 RF 마그네트론 스퍼터링으로 증착한 SrBi₂Ta₂O9 박막의 구조적 특성

Structure Control of SrBi₂Ta₂O9 Thin Film Using CeO₂/YSZ and CeO₂ Buffer Layers Deposited by the RF Magnetron Sputtering

  Rf sputtering법으로 SrBi₂Ta₂O？(SBT) 강유전체 박막을 두 개의 다른 기판, CeO₂/YSZ/Si와 CeO₂/Si 위에 기판온도와 증착시의 O₂:Ar 분압비를 변화시키면서 제조하여 Pt/Ti/SiO₂/Si 위에 제조한 박막과 비교하였다. 상온에서 제작한 시료는 결정성을 향상시키기 위해서 후열처리를 하였다. Bi와 Sr의 양을 10-20 ㏖e% 변화시키면서 SBT 타겟을 제조하여 SBT phase 형성을 조사하였다. 그리고 XRD와 AFM을 이용하여 열처리조건과 분압비(O₂, Ar)에 따른 SBT 박막의 결정구조 및 표면형상구조를 조사하였다.

  The ferroelectric thin films, SrBi₂Ta₂O？(SBT) have been deposited by means of rf magnetron sputtering technique onto two different substrate, CeO₂/YSZ/Si and CeO₂/Si with various substrate temperatures and pressure ratios of O₂/Ar, and compared with the specimens prepared onto Pt/Ti/SiO₂/Si substrate. The specimens fabricated at room temperature were post-annealed in order to improve their crystallinity. In the process of SBT. target preparation, the Bi contents were varied from 10 to 20 ㏖e% to get stable SBT phase. The structures and surface morphologies of SBT thin films as a function of substrate temperature and partial pressures of O₂/Ar, have been investigated with X-ray diffraction(XRD) and atomic force microscopy(AFM), respectively.