CMOS를 이용한 L-대역 전력증폭기의 개발

Developement of L-Band Power Amplifier employing CMOS

본 논문에서는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semi Conductor)를 이용한 L 대역 2단 전력증폭기(Power Amplifier)를 설계하였고, 제작하였다. 제안된 전력증폭기의 출력전력이 최대가 되도록 증폭기의 출력 정합회로를 설계하였고, 최대출력 임피던스는 load-pull 기법을 이용하여 결정하였다. 설계된 전력증폭기는 TSMC CMOS 0.18 ㎛ RF공정으로 제작되었다. 제작된 전력증폭기는 1.5 GHz에서 11.28 dB의 이득과 15 dBm의 출력전력을 보였다.

In this paper, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 2-stage power amplifier was designed and fabricated for L-band application. In order to obtain optimal power characteristic, the power amplifier was designed using optimal power matching technique and load-pull technique. The CMOS power amplifier was fabricated by TSMC 0.18 ㎛ CMOS. The power amplifier showed a gain of 10dB and output power of 15dBm, at 1.5GHz.