본 논문은 초고주파 전력증폭기용 LDMOS(Lateral double-diffused MOS) MRF-21060 소자의 게이트 바이어스 전압을 조절하여 온도 변화에 따른 드레인(Drain) 전류의 변화를 억제하기 위한 PNP 트랜지스터를 사용하여 능동 바이어스 회로를 구현하였다. MRF-21060을 구동하기 위한 방법으로서는 AH1과 평형증폭기인 A11을 사용하여 구동 증폭단을 설계ㆍ제작하였다. 제작된 5W 초고주파 전력증폭기는 0~60 ℃까지의 온도변화에 대하여 소모전류 변화량이 수동 바이어스 회로에서 0.5 A로 높은 반면, 능동 바이어스 회로에서는 0.1 A 이하의 우수한 특성을 얻었다. 전력증폭기는 2.11~2.17㎓ 주파수 대역에서 32 ㏈ 이상의 이득과 +0.09 ㏈ 이하의 이득 평탄도가 나타났으며, -19 ㏈ 이하의 입ㆍ출력 반사손실을 가진다.
In this paper, the power amplifier using active biasing for LDMOS MRF-21060 is designed and fabricated Driving amplifier using AH1 and parallel power amplifier AH11 is made to drive the LDMOS MRF-21060 power amplifier. The variation of current consumption in the fabricated 5 Watt power amplifier has an excellent characteristics of less than 0.1 A. whereas passive biasing circuit dissipate more than 0.5 A. The implemented power amplifier has the gain over 12 ㏈, the gain flatness of less than ±0.09 ㏈ and input and output return loss of less than -19 ㏈ over the frequency range 2.11 ~ 2.17 ㎓. The DC operation point of this power amplifier at temperature variation from 0 ℃ to 60 ℃ is fixed by active bias circuit.
요약
Abstract
1. 서론
2. 구동 증폭단의 구현
3. 능동 바이어스 회로 설계
4. 특성 측정 및 평가
5. 결론
후기
참고문헌
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