ZnS 박막을 Hot Wall 법에 의해 증발관 온도, 기판온도 및 외부로부터 유황(S)의 공급을 변수로 하여 제작하여 광학적, 결정 구조적 특성을 분석ㆍ검토하였다. 박막의 증착속도는 증발관 온도 및 S 증기압을 높일수록 증가하였으나 기판온도를 높이면 급격히 감소하였다. 박막의 광학적 특성은 증착속도와 밀접하게 관계하고 있다고 사료되며, 실온에서의 금지대 폭은 이론 값보다 작은 3.46~3.52eV를 나타내어 결정중에 결함이 존재함을 알 수 있었다. 박막의 구조를 분석한 결과 어느 경우에 있어서나 섬아연광 구조의 (111) 주 배향성을 나타내었으나 회절피크의 강도 및 반치폭으로부터 결정성은 대체로 양호하지 못했음을 알았다. 그러나, 기판온도 또는 S 공급 등의 제작조건에 따라 광학적, 결정적 특성이 개선되었다.
ZnS thin films were prepared on glass substrate at various deposition conditions by a HW apparatus and were systematically investigated the growth characteristics, in terms of deposition rates, absorption edges by a double beam spectro-photometer, and structural analysis by a x-ray diffraction The deposition rates were increased with increasing the cell temperature and vapor pressure of sulfur, but were decreased with increasing substrate temperature. The optical characteristics of thin films depends on the deposition rates. The band gap energies of 3.46~3.52eV measured at room temperature are smaller than the theoretical value of 3.54eV, indicating that impurities exist in the crystal. All ZnS thin films are oriented in the (111) principal direction of a zincblende structure. By introducing the S vapor, optical and crystalline properties have been improved.
요약
Abstract
1. Introduction
2. Experimental procedure
3. Results and discussion
4. Conclusion
References
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