비정질 규소막의 공정조건이 HSG-Si 형성에 미치는 영향

Influence of the process conditions for the amorphous silicon on the HSG-Si formation

본 논문은 비정질 규소막 성장의 공정 조건이 저장 전극의 표면에 HSG-Si를 형성할 때 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 비정질 규소막의 인 농도가 5.5±0.1E19 atoms/㎤ 이상이면 HSG-Si가 제대로 형성되지 않는 인농도 의존성을 나타내었다. 또한 HSG 두께가 500Å 이상에서는 전극과 전극을 단락시키는 비트 불량을 유발하기 때문에 비정질 규소막의 인농도는 4.5E19 atoms/㎤, HSG 임계 두께는 450Å이 최적 조건임을 확인하였다.

In this paper, the processing conditions of the amorphous silicon film growth were investigated the effect in forming the HSG-Si on the surface of the storage electrode. As a result, when the amorphous silicon film phosphorus concentration is greater than 5.5 ± 0.1E19 atoms / ㎤, HSG-Si is not formed correctly and showed the concentration dependency of HSG formation. Also, the optimum condition of the phosphorus concentration for amorphous silicon and HSG thickness are 4.5E19 atoms/㎤ and 450Å, respectively, because of the HSG thickness over the 500Å create to bit failure according to a short of the electrodes and the electrode.