플라즈마 표면처리에 따른 유기트랜지스터 특성

Polymer thin film organic transistor characteristics with plasma treatment of interlayers

본 논문에서는 플라즈마 중합법에 의해 유기절연막을 제작 후 이를 이용한 유기박막트랜지스터의 특성향상을 위해 반도체박막의 표면처리를 하였다. 그 결과 반도체층의 O2 플라즈마을 활용하여 30 [sec]동안 표면처리시 박막의 표면에너지는 38 mJ/m2값에서 72 mJ/m2값으로 증가되었으며, 이에 따른 유기트랜지스터의 이동도는 평균값 기준하여 29% 증가된 0.057 cm2V-1s-1의 값으로 증가된 값을 얻을 수 있었다. 이로부터 반도체박막표면개질에 의한 유기트랜지스터의 이동도 특성향상이 가능함을 알았다.

In this paper, we fabricated insulator thin films by plasma polymerization method for organic thin film transistor's insulator layer. For improving the electrical characteristics of organic transistor, we treated the semiconductor thin film with O2 plasma. As results, the surface energy of organic transistor was increased from 38 mJ/m2 to 72 mJ/m2 and the mobility of organic transistor was increased 0.057 cm2V-1s-1, that is increased 29% average ratio. Therefore, we have known that oragnic transistor's mobility can improve with plasma treatment of semiconductor thin film's surface