CVD로 제작된 SiO2 산화막의 투습특성

Water Vapor Permeability of SiO2 Oxidative Thin Film by CVD

본 논문에서는 유기발광다이오드 적용을 위한 보호막 혹은 barrier 적용을 위하여 화학증착방법(CVD)를 이용한 실리콘 산화막을 형성하고, 산화막의 특성에 영향을 미치는 공정조건을 변화시켰다. 이로부터 HDP-CVD를 활용한 SiO2박막 증착을 위한 최적의 공정조건은 SiH4:O2=30:60[sccm]유량, 소스와 기판과의 거리가 70 [㎜], 기판에 Bias를 가하지 않은 조건인 경우 8～10[mtorr] 공정압력에서 매우 안정된 플라즈마 형성이 가능한 최적의 공정조건을 얻었다. 얻어진 공정조건으로 제작된 SiO2산화막의 모콘테스트를 통한 투습율(WVTR)을 조사한 결과 2.2 [g/m2_day]값으로 HDP-CVD로 제작된 SiO2산화막은 유기발광다이오드용 보호막으로의 적용이 어려울 것으로 생각된다

In this paper, we have fabricated SiO2 oxidation thin films by HDP-CVD(high density plasma-chemical vapor deposition) method for passivation layer or barrier layer of OLED(organic light emitting diode). We have control and estimate the deposition rate and relative index charcteristics with process parameters and get optimized conditions. They are gas flow rate(SiH4:O2=30:60[sccm]), 70 [㎜] distance from source to substrate and no-bias. The WVTR(water vapor transmission rate) is 2.2 [g/m2_day]. Therefore fabricated thin film can not be applied as passivation layer or barrier layer of OLED.