원통형 스퍼터링 장치로 제작한 Ti박막의 구조 및 Cu 기판과의 밀착성에 관한 연구

A Study on the Structure of Ti Film Prepared bv Cylindrical Sputtering System and Adhesion of Cu Substrate

직류 2극 원통 마그네트론 스퍼터장치를 이용하여 기판을 어스전위 이하인 (-)전위로서 pure Cu wire에 피복 시킨 Ti 피막의 구조 및 기판과의 밀착성에 대하여 조사하였다 . 그 결과 , 피막과 기판과의 계면에 두꺼운 중간층을 형성시키지 않는 것이 기판과의 밀착성을 높이기 위한 중요한 요소이다 . 바이어스 전압을 요 하여 기판을 어스 전위로 하면 강하게 밀착된 피막의 제작이 71 능하였다 . 기판을 어스전위로 하여 제작한 피막은 주상정구조이며 , 치밀한 미세결정 피막을 형성시키기 위해서는 -100V 이상의 높은 바이어스 전압이 필요하다 .

we have studied on a structure o f Ti film and on an adhesion o f Ti film which is covered on pure Cu wire by using the direct current o f double pole cylindrical magnetron sputtering equipment and by using minus voltage board less than earth voltage level. As a result, we found out the important element in order to increasing the high adhesion, is not to form the thick inter-stratification. It was possible to make a high adhesion film by using zero bias voltage with the earth potential board. Film made with the earth potential board, is columnar structure and in order to form the densely packed fineness micro-crystal we need higher bias voltage of more than -100V.