Organic Precursor를 이용한 SiC-C 복합체의 제조

Organic precursor (TMOS, TEOS, phenol resin)를 이용하여 고순도, 초미립 SiC 및 SiC-C 복합 분체 및 소결체가 제조되었다. SiC 분체는 carbothermal reaction에 의하여 합성되었는데 SiO₂ source로는 tetramethyl orthosilicate (Si(OCH₃)₄, TMOS)와 tetramethyl orthosilicate (Si(OC₂H5)₄, TEOS)를 사용했고 C source로는 phenol resin을 사용했다. TMOS/TEOS와 phenol resin의 혼합용액이 gel화 되는데 걸리는 시간이 10 시간 이상 이어야만 SiC precursor 내에서 SiO₂와 C가 분리가 되지 않아 균질한 분체합성이 가능하였다. SiC precursor 내에서 C와 Si의 비가 2 이하일때는 100% β-SiC가 합성되었고, 3인 경우에는 86 wt.%의 β-SiC와 14 wt.%의 C가 함께 존재하는 혼합 분체가 형성되었다. 고순도, 초미립으로 합성된 분체의 소결성은 좋았고 소결된 시편에 존재하는 C는 crack을 deflect시켜 인성증가를 가져왔다.