조성비 변화에 따른 질화물계 화합물 반도체 Iny Ga₁-yAs1- x Nx의 에너지 밴드갭과 광학상수 계산

The Calculation of the Energy Band Gaps and Optical Constants of Zincblende Iny Ga₁-yAs1- x Nx on Composition

본 연구에서는 band anticrossing 모델을 사용하여 온도와 조성비 변화에 따른 4원계 질화물계 화합물 반도체 Iny Ga₁-yAs1- x Nx 의 에너지 밴드갭과 광학상수를 계산하였다. 300K의 조성비 구간(0≤x≤0.05, 0≤y≤1.0)에서 에너지 밴드갭들이 연속적으로 감소하며, 계산된 휨 매개변수는 0.522eV가 사용되었다. 에너지 밴드갭 계산 결과는 다른 연구 결과와 대체로 잘 일치하였다. 또한 에너지 밴드갭 결과를 새롭게 제안한 모델식에 적용하여 굴절률 n과 고주파 유전상수 ε를 계산하였다.

The energy band gaps and optical constants of zincblende Iny Ga₁-yAs1- x Nx on the variation of temperature and composition are determined by using band anticrossing method. The energy band gaps are decreasing continuously in Iny Ga₁-yAs1- x Nx (0≤x≤0.05, 0≤y≤1.0, 300K) and the bowing parameter is calculated as 0.522eV. The calculation results of energy band gaps are consistent with those of other studies. A refractive index n and a high-frequency dielectric constant ε are calculated by a proposed modeling equation using the results of energy band gaps.