Ni-Pd-CNT Nanoalloys에서 성장한 α-Ga2O3의 특성분석

Characterization of Alpha-Ga2O3 Epilayers Grown on Ni-Pd and Carbon-Nanotube Based Nanoalloys via Halide Vapor Phase Epitaxy

본 연구에서는 HVPE 방법을 사용하여 Ni-Pd and Carbon-Nanotube nanoalloys (Ni-Pd-CNT) 위에 α-Ga2O3을 성장시켜 Ni-Pd-CNT에 따른 효과를 확인하였다. 그 결과, 무전해 Ni 도금 시간 40초에서 성장한 α-Ga2O3 에피층의 두께는 11 ㎛로 확인되었다. 또한, α-Ga2O3 에피층의 표면 형태는 균열 발생 없이 기판에 대한 우수한 접착력을 보여주었다. 결과적으로, 성장과정에서 발생한 수평 성장에 의해 α-Ga2O3 대의 비대칭면인 ($10{\bar{1}}4$ 수식 이미지) FWMH 값을 크게 감소할 수 있었다.

This paper demonstrates the utility of the Ni-Pd and carbon-nanotube (Ni-Pd-CNT)-based nanoalloy to improve the α-Ga2O3 crystal quality using the halide-vapor-phase epitaxy (HVPE) method. As result, the overall thickness of the α-Ga2O3 epitaxial layer increased from a Ni electroless plating time of 40 s to 11 ㎛ after growth. In addition, the surface morphologies of the α-Ga2O3 epilayers remained flat and crack-free. The full-width half-maximum results of the X-ray diffraction analysis revealed that the ($10{\bar{1}}4$ 수식 이미지) diffraction patterns decreased with increasing nominal thickness