Multichip module 개발을 위한 LTCC 밀 LTCC-M 기술

LTCC and LTCC-M Technologies for Multichip Module

저온동시소성 또는 금속상 저온동시소성 기술은 세라믹 다층멀티칩 기술의 하나로 이 기술을 이용한 모듈은 일반 전기 부품, 고주파 및 자동차 전장에 적용되기 시작하였다. 고온동시소성 기술과 비교하여 저온동시소성 기판의 소성은 그 온도가 1000℃ 이하에서 이루어지므로 전기전도도가 높은 금, 은, 구리 등의 금속을 이용하여 내부 전극을 형성할 수 있다. 금속상 저온 동시소성 기술은 소성 후의 치수안정성 (x-, y- 방향으로 수축률 0.1 % 이하)의 장점으로 모듈 내부에 수동소자를 내장할 수 있으며, 이러한 장점은 전기적 특성의 향상과 신뢰성 증가를 가져온다. 모듈의 열팽창계수 및 유전율은 조성이나 소성조건을 바꾸어 조정이 가능하다. 본 기술해설에서는 저온동시소성 또는 금속상 저온동시소성 기술에 관한 소개와 장점에 대하여 설명하였다.

LTCC (Low Temperature Cofired Ceramic) or LTCC-M (Low Temperature Cofired ceramic on Metal) technology is one of MCM-C (Multichip Module on Ceramic) technologies and becomes to be widely used in consumer, RF and automotive electronics. As green sheets for LTCC are cofired below 1000℃ in comparison with those for HTCC (High Temperature Cofired Ceramic), high conductivity metal traces such as gold, silver and copper can be used. The dimensional stability in LTCC-M technology enables embedded passives to be integrated inside modules, which enhances the electrical performance and increases the reliability of the modules. Coefficient of thermal expansion and dielectric constant can be controlled by changing composition and heating profile for cofiring. In this technical review, LTCC and LTCC-M technologies are introduced and advantages of those technologies are explained.