상세검색
최근 검색어 전체 삭제
다국어입력
즐겨찾기0
한국마이크로전자및패키징학회.jpg
KCI등재 학술저널

Pt 박막의 SF₆/Ar과 C1₂/Ar 플라즈마 가스와의 표면반응에 관한 연구

최근가지 Pt박막의 식각은 Cl 계열의 가스에 의한 물리적인 스퍼터링 기구에 초점을 맞추어 연구가 진행되어왔으며 F 계열의 가스에 의한 식각 특성은 상당히 미진하였다. 본 연구에서는 ECR(electron cyclotron resonance) 플라즈마 식각 장비를 이용하여 Cl₂/Ar 가스와 SF₆/Ar 가스를 사용하여 Pt 박막의 식각 특성을 연구하였고, SF₆/Ar 가스의 경우 Pt 박막과 반응하여 휘발성의 식각 부산물을 형성시킬 수 있음을 확인하였다. 그리고 휘발성있는 platinum fluoride 화합물의 형성에 의해 식각률, 식각 측면형상과 표면 거칠기 특성개선도 얻을 수 있었다.

Up to now, most studies about Pt-etching have been focused on physical sputtering mechanism with Cl-based plasma, while only a limited results are available for etching characteristics with fluorine-based plasma. In this study, etch characteristics of Pt thin film with Cl₂/Ar and SF₆/Ar Ar gas chemistries have been studied with ECR plasma etching system. It is confirmed that SF₆/Ar Ar plasma chemistry could make volatile etch-products through the reaction with Pt thin film. Also the improvement in etch rate, etch profile and surface roughness is obtained due to the formation of volatile platinum fluoride compounds.

1. Introduction

2. Experimental

3. Results and Discussion

4. 결Conclusion

References

로딩중