ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al 구조의 고분자 유기발광다이오드의 특성 연구

The Properties of Polymer Light Emitting Diodes with ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al Structure

ITO(indium tin oxide)/Glass 기판위에 정공 수송층으로 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)]과 발광층으로 MEH-PPV[poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4phenylenvinylene)]의 고분자를 사용하여 ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al 구조를 갖는 고분자 유기 발광다이오드 (polymer light emitting diode: PLED)를 제작하였다. 고분자 유기 발광다이오드 제작시 MEH-PPV의 농도(0.1wt%~0.9wt%)가 발광층 표면 거칠기와 박막층판의 마찰계수(friction coefficient)에 미치는 영향을 조사하였다. MEH-PPV의 농도를 0.1wt%에서 0.9wt%로 증가함에 따라 발광층의 RMS 값은 1.72 nm 에서 1.00 nm로 감소하여 거칠기가 개선되는 경향을 보여 주었다. 또한 발광층 박막의 마찰계수는 0.048에서 0.035로 감소하여 박막의 접합상태가 나빠지는 현상을 나타내었다. 0.5wt%의 농도를 갖는 PLED 다이오드에서 최대 휘도인 409cd/m² 값을 얻었다.

The polymer light emitting diodes (PLED) with ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al structure were prepared on ITO(indium tin oxide)/Glass substrates using PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)] as the hole transport material and MEH-PPV[poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4phenylenvinylene)] as emission material layer. The dependences on the surface roughnees and friction coefficient between film layers were investigated as a function of the MEH-PPV concentrations(0.1wt%~0.9wt%). The RMS values decreased from 1.72 nm to 1.00 nm as the concentration of MEH-PPV increased from 0.1wt%to0.9wt%, indicating improvement of surface roughness. In addition, friction coefficients decreased from 0.048 to 0.035, which means the deteriorating of the adhesion condition. The PLED sample with 0.5wt% of MEH-PPV showed the maximum luminance of 409cd/m².