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KCI등재 학술저널

Electrodeposition 변수에 따른 Sn 도금의 표면 거칠기와 플립칩 접속된 Sn 범프의 접속저항

Surface Roughness of the Electroplated Sn with Variations of Electrodeposition Parameters and Contact Resistance of the Flip-chip-bonded Sn Bumps

플립칩 공정에 Sn 범프를 적용하기 위해 도금전류밀도와 전류모드에 따른 Sn 도금막의 표면 거칠기와 경도를 측정하였다. 전류밀도 5~50ma/cm²에서 전기도금한 Sn 도금막은 2.0~2.4μm의 표면 거칠기를 나타내었으며, 직류모드보다 펄스모드로 형성한 Sn 도금막에서 표면 거칠기가 감소하였다 할로겐 램프를 사용하여 300℃에서 3초간 유지하는 표면 열처리에 의해 Sn 도금의 표면 거칠기가 1μm 정도로 현저히 저하되었다. 전류밀도 5~50mA/cm²에서 전기도금한 Sn 도금막은 10 Hv의 경도를 나타내었다. Sn 범프들을 이용하여 플립칩 본딩한 시편들은 33~17mΩ의 낮은 접속저항을 나타내었다.

Surface roughness and hardness of the electroplated Sn were characterized with variations of electroplating current density and current mode. The Sn electroplated at 5~50mA/cm² exhibited the surface roughness of 2.0~2.4μm. The Sn electroplated with pulse current mode exhibited low surface roughness compared one processed with direct current mode. With surface annealing at 300℃ for 3 sec using halogen lamp, surface roughness of the Sn bump was substantially reduced to 1μm. The Sn electroplated at 5~50mA/cm² exhibited the hardness of 10 Hv. Low contact resistances of 33~17mΩ were obtained for specimens flip-chip bonded with Sn bumps.

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

참고문헌

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