Electrodeposition 변수에 따른 Trench Via의 Cu Filling 특성

Cu Filling Characteristics of Trench Vias with Variations of Electrodeposition Parameters

칩 스택 패키지의 삼차원 interconnection에 적용을 위해 폭 75~10μm, 길이 3mm의 트랜치 비아에 대해 전기도금전류밀도 및 전류모드에 따른 Cu filling 특성을 분석하였다. 직류모드로 1.25mA/cm²에서 Cu filling한 경우, 트랜치 비아의 폭이 75~35μm 범위에서는 95% 이상의 높은 Cu filling ratio를 나타내었다. 직류 전류밀도 2.5mA/cm²에서 Cu filling한 경우에는 1.25mA/cm² 조건에 비해 열등한 Cu filling ratio를 나타내었으며, 직류모드에 비해 펄스모드가 우수한 Cu filling 특성을 나타내었다.

For chip-stack package applications, Cu filling characteristics into trench vias of 75~10μm width and 3 mm length were investigated with variations of electroplating current density and current mode. At 1.25mA/cm² of DC mode, Cu filling ratio higher than 95% was obtained for trench vias of 75~35μm width. When electroplated at DC 2.5mA/cm², Cu filling ratios became inferior to those processed at DC 1.25mA/cm². Pulse current mode exhibited Cu filling characteristics superior to DC current mode.