InGaN UV bare칩을 이용한 CaAl₁₂O₁₉:Mn⁴⁺ 형광체의 적색 발광다이오드 제조

Fabrication of Red LED with Mn activated CaAl₁₂O₁₉ phosphors on InGaN UV bare chip

CaAl₁₂O₁₉:Mn⁴⁺ 적색 형광체는 Mn⁴⁺이온이 0.02 mol 첨가되었을 때 최대 발광 세기가 관찰되었고 1600℃, 3시간 소성조건에서 우수한 결정성과 발광 효율을 나타내며 중심 파장이 658 nm에서 관찰되었다. 본 연구에서 개발된 CaAl₁₂O₁₉:Mn⁴⁺ 형광체를 에폭시와 함께 1:3으로 혼합하여서 InGaN UV 발광체의 Bare 칩 위에 코팅하여 중심파장이 658 nm인 적색 LED를 제조하였다. 적색 형광체를 이용하여, 기존의 UV LED를 여기 광원으로 다양한 느낌의 백색 발광체를 설계 할 수 있을 것이다.

A CaAl₁₂O₁₉:Mn⁴⁺ red phosphor showed the highest emission intensity at a concentration of 0.02mole Mn⁴⁺ and the high crystallinity and luminescent properties were obtained at 1600℃ firing temperature for 3hr. The synthesized phosphor showed a broad emission band at 658nm wavelength. Red light-emitting diodes(LEDs) were fabricated through the integration of on InGaN UV bare chip and a 1:3 ratio of CaAl₁₂O₁₉:Mn⁴⁺ and epoxy resin in a single package. This coated LED can be applicable to make White LEDs under excitation energy of UV LED.