상온에서 연속 조성 확산법에 의해 증착된 Ta₂O₅-SiO₂ 유전특성

Dielectric Properties of Ta₂O₅-SiO₂ Thin Films Deposited at Room Temperature by Continuous Composition Spread

CCS방법이 적용된 off-axis RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 증착된 Ta₂O₅-SiO₂의 유전체 박막에 관하여 연구를 하였다. 1500 µm 의 간격으로 비유전율 및 유전손실을 측정하여 Ta₂O₅-SiO₂에 조성의 변화에 따른 유전특성의 변화를 나타내었다. 1 MHz 에서 높은 유전상수(k ~19.5) 와 낮은 유전손실(tanδ < 0.05)을 보이는 영역들을 찾았는데, 이는 증착된 기판(75×25 mm² sized Pt/Ti/SiO₂/Si(100))에서 SiO₂ 타겟 영역으로부터 각각 16 mm, 22 mm 떨어진 영역에서 찾 을 수 있었다.

The variations of dielectric properties of Ta₂O₅-SiO₂ continuous composition spread thin films prepared by off-axis radio-frequency magnetron sputtering were investigated. The dielectric maps of dielectric constant and loss were plotted via 1500 micron-step measuring. The specific points showing superior dielectric properties of high dielectric constant (k ~19.5) and loss (tanδ < 0.05) at 1 MHz were found in area of the distance of 16 mm and 22 mm apart from SiO₂ side in 75×25 mm² sized Pt/Ti/SiO₂/Si(100) substrates.