증착공정 및 환원분위기 열처리가 Sb-Te 박막의 열전특성에 미치는 영향

Effects of Evaporation Processes and a Reduction Annealing on Thermoelectric Properties of the Sb-Te Thin Films

증착공정 및 환원분위기 열처리가 p형 Sb-Te 박막의 열전특성에 미치는 영향을 연구하였다. Sb₂Te₃ 잉곳을 분쇄한 분말을 증착원으로 사용하여 형성한 박막은 2.71×10-4 W/m-K², Sb와 Te 혼합분말을 증착원으로 사용하여 형성한 박막은 0.12×10-4 W/m-K², Sb와 Te의 동시증착으로 제조한 박막은 0.73×10-4 W/m-K²의 출력인자를 나타내었다. 300℃에서 2시간 유지하는 환원분위기 열처리에 의해 Sb₂Te₃ 잉곳을 분쇄한 분말을 증착원으로 사용하여 형성한 박막의 출력인자가 24.1×10-4 W/m-K²로 향상되었으며, Sb와 Te의 동시증착으로 제조한 박막의 출력인자는 40.2×10-4 W/m-K²로 크 게 향상되었다.

Effects of evaporation processes and a reduction annealing on thermoelectric properties of the Sb-Te thin films prepared by thermal evaporation have been investigated. The thin film evaporated by using the powders formed by crushing a Sb₂Te₃ ingot as an evaporation source exhibited a power factor of 2.71×10-4 W/m-K². The thin film processed by evaporation of the mixed powders of Sb and Te as an evaporation source showed a power factor of 0.12×10-4 W/m-K². The thin film fabricated by coevaporation of Sb and Te dual evaporation sources possessed a power factor of 0.73×10-4 W/m-K². With a reduction annealing at 300℃ for 2 hrs, the power factors of the films evaporated by using the Sb₂Te₃ ingot-crushed powders and coevaporated with Sb and Te dual evaporation sources were remarkably improved to 24.1×10-4 W/m-K² and 40.2×10-4 W/m-K², respectively.