학술저널
2단계 스퍼터링으로 형성시킨 강유전 박막의 누설전류 개선
Improvement of Leakage Current in Ferroelectric Thin Films Formed by 2-step Sputtering
- 한국마이크로전자및패키징학회
- 마이크로전자 및 패키징학회지
- 제13권 제1호
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2006.0317 - 22 (6 pages)
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2단계 스퍼터링으로 강유전 PZT 박막을 형성시켜 유전특성과 전도기구를 조사하였다. 또한 PZT 박막 내의 carrier를 보상해주기위해 도너 불순물을 도핑하였다. 2단계 스퍼터링으로 상온층 두에를 조절하여 누설전류를 10⁻⁷A/cm² order까지 줄일 수 있었다. 전도기구가 bulk-limited의 하나임을 확인하였고 따라서 적정한 도너 불순물을 채택하였다. 도너 불순물을 도핑한 경우 2단계 스퍼터링한 PZT 박막의 누설전류 특성은 10⁻⁸A/cm² order까지 개선되었다.
I. 서론
II. 실험 방법
III. 결과 및 고찰
IV. 결론
감사의 글
참고문헌
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