cmp공정은 반도체 칩 생산에 있어서 중요한 핵심 공정이다. 이는 웨이퍼의 박막표면의 균일성에 따라 광역 평탄화를 실현 할 수 있기 때문이다. 현재 현업에서 사용되고 있는 리테이너링은 웨이퍼 표면 연마 시 박막표면을균일하게 유지시키는 중요한 부품으로써 금속과 플라스틱을 본딩으로 접착한 스타일의 링이 다양한 공정에서 사용되고 있다. 이는 제작하는 기간이 길고 접착되는 부분의 탈착되는 현상과 금속의 내경면에 슬러리가 달라붙어응고되어 일부는 임의 탈락으로 인한 웨이퍼에 스크레치를 유발 시키는 문제가 발생되고 있다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 개선하고자 기존 방식 보다는 사출type의 인서트 내장형 링의 개발방안을모색하였다. 현재 Engineering Plastics인 PEEK(Polyetheretherketone)재료를 이용한 사출성에 관한 연구는다소 부족한 상황이다. 따라서, 연구개발에 있어서 보다 더 정확하고 신속한 방향 설정이 필요하다는 점을 인식하여 기기분석을 통해 재질의 안정성 및 물질의 온도 특성을 분석하고 이를 기반으로 인서트 몰드 링 사출조 건에 적용하고자 연구를 하게 되었다.
The cmp process is key to the uniformity of the thin film surface of wafers in semiconductor chip production. Retaining is an important process that is used in the field to maintain the surface of a thin film uniformly during wafer polishing; additionally, a ring is used in a style that facilitates the bonding of metal and plastics in various processes. This results in an extended manufacturing period and the adhering and subsequent solidification of the slurry to the diameter of the inner surface of the metal, which results in a scratch on the wafer owing to arbitrary dropout. This study aimed to replace the existing method by developing an injection-type insert-embedded ring to address the aforementioned challenge. Thermal stress tests for the accurate injection of polyetheretherketone materials detected phenol, phenyl ether, and dibenzofuran components using Py-Gc/MS. DSC analysis showed that the glass transition temperature was as high as 150 °C and the melting temperature was 342 °C. During TG-DTA, the heat weight was reduced by 50%, and the change in the calorific value of the peak occurred at 585.1 °C when the heating and cooling rates were constant.
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 리테이닝 링과 인서트 몰드 링의 구조
Ⅲ. 실험 및 결과 고찰
Ⅳ. 결 론
References