III-V 화합물 반도체 단결정 성장을 위한 수직형 LPE 장치의 제작

The Development of the Vertical Type LPE System for Single Crystal Growth of the III-V Compound Semiconductor

본 연구에서는 수직형 LPE 장치를 손수 설계ㆍ제작하였다. 제작된 LPE 장치에 온도변화는 ±0.05℃ 이내였고, 최소 냉각속도는 0.15℃/min으로 확인되었으며, 이러한 특성은 LPE 방법으로 III-V족 반도체 화합물의 단결정 성장을 하기에 적합하다는 것을 알 수 있었다. 또한 이 장치로 1.3㎛ GaInAsP/InP의 성장을 행하여 본 결과λL은 1.286㎛였고 격자부정합 정도는 약 0.13%정도로 얻어졌다.

In this study, the vertical LPE system has been made by hand. The temperature fluctuation and minimum cooling rate of this LPE system are within ±0.05℃ and 0.15℃/min respectively. It is considered that these properties are enough to grow III-V semiconductor compounds single crystals by liquid phase epitaxy method. Futhermore in this study, l.3㎛ InGaAsP /lnP single crystal growing has been successfully obtained by this system. In has been shown the λPL was 1.286㎛, and that the lattice mismatching was about 0.13%.