짧은 펄스로 구동되는 반도체 발광소자의 파장측정에 관한 연구

A Study on the Measurement of Spectral Characteristics of Semiconductor Light Sources driven by Very Short Pulse Currents

본 연구에서는 매우 짧은 전류펄스에 의해 구동되는 반도체 발광소자의 파장특성을 측정하기 위한 장치를 고안하였다. 이 장치는 600grooves/mm의 회절격자에 초점거리가 275mm인 분광기와 X-Y recorder 그리고 아날로그 분석을 위한 scanning motor와 최대값 검출기가 결합된 증폭기로 구성시켰다. 특히, 최대값 검출기는 짧은 펄스 신호를 연속적인 값으로 변환하기 위하여 사용하였다. 이 장치를 이용하여 상용화된 발광다이오드와 AlGaAs/GaAs LD및 InGaAsP/InP BH-LD를 duty cycle이 0.01인 전류펄스로 구동하면서 그 파장특성을 분석한 결과 약 1Å정도의 분해능과 10㎼정도의 수신감도를 가지는 것을 확인하였다.

In this paper, a system has been propsed for the measurement of the spectral characteristic of semiconductor light sources driven by very short pluse currents. This system has been constituted a monochrometer of 600 grooves/mm grating and of 275mm focal length, X-Y recorder, scanning motor which enables the system to get the analog data, and amplifier coupled with peak detector. Especially, peak detector was used to convert the short pules signal to continuous one. In order to verify the resolution with slit width, several slits were made with hands. By using this system, thspectra of commericial LEDs, AlGaAs/GaAs LD, and InGaAsP /InP BH-LD which were diriven with pulse current (duty cycle=0.0I%) were measured. Form these measurements, it has been shown that the proposed system has about 1Å Resolution and 10㎼ resolution and 10㎼ sensitivity.