화학기상증착으로 Si(111) 위에 성장된 N-SiC(3C) 에피층의 특성

Characterization of N-doped SiC(3C) epilayer by CVD on Si(111)

N-도핑된 3C-SiC (N-SiC(3C))을 화학기상증착(CVD)으로 <TEX>$1250^{circ}C$</TEX>에서 Si(111) 기판 위에 tetramethylsilane(TMS)를 열분해하여 성장하였다. 수송가스는 <TEX>$H_{2}$</TEX>이었고, N-SiC(3C) 에피층은 CVD로 성장되는 동안 <TEX>$NH_{3}$</TEX>에 의하여 n-형으로 도핑되었다. N-SiC(3C)의 물리적 특성은 적외선 분광(FTIR), X-선 회절(XRD), 라만 스펙트럼(Raman spectrum), 단면 투과전자영상(XTEM), Hall 측정 및 p/n 다이오드의 전압-진압(I-V) 특성에 의하여 조사되었다. N-도핑된 SiC(3C) 에피층의 전도형은 n-형이었고, 전도형은 <TEX>$NH_{3}$</TEX>를 사용한 N-dopant에 의하여 저온에서 잘 조절될 수 있다.

Nitrogen-doped SiC(3C) (N-SiC(3C)) epliayers were grown on Si(111) substrate at <TEX>$1250^{circ}C$</TEX> using chemical vapor deposition (CVD) technique by pyrolyzing tetramethylsilane(TMS) in <TEX>$H_{2}$</TEX> carrier gas. SiC(3C) layer was doped using <TEX>$NH_{3}$</TEX> during the CVD growth to be n-type conduction. Physical properties of N-SiC(3C) were investigated by Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy, X-ray diffraction (XRD) patterns, Raman spectroscopy, cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM), Hall measurement, and current-voltage(I-V) characteristcs of the N-SiC(3C)/Si(p) diode. N-SiC(3C) layers exhibited n-type conductivity. The n-type doping of SiC(3C) could be controlled by nitrogen dopant using <TEX>$NH_{3}$</TEX> at low temperature.