반응성 이온 식각에 의해 손상된 실리콘의 세정에 관한 연구

A study on cleaning process of RIE damaged silicon

CHF<TEX>$_{3}$</TEX>/CH<TEX>$_{4}$</TEX>Ar 플라즈마에 의해 형성된 산화막 식각 잔류물의 화학구조와 이 잔류물의 제거를 위한 세정방법을 x-ray photoelectron spectroscopy를 이용하여 조사하였다. 잔류무르이 구조는 CF<TEX>$_{x}$</TEX>-polymer와 Si-C, Si-O 결합으로 이루어진 SiO<TEX>$_{y}$</TEX> C<TEX>$_{z}$</TEX> 이었다. CF<TEX>$_{4}$</TEX>O<TEX>$_{2}$</TEX> 플라즈마에 의한 silicon light etch는 산화막 식각 잔류물인 SiO<TEX>$_{y}$</TEX> C<TEX>$_{z}$</TEX> 층과 손상된 실리콘 표면을 제거하엿으며 NH<TEX>$_{4}$</TEX>OH-H<TEX>$_{2}$</TEX>O<TEX>$_{2}$</TEX>과 HF용액으로 완전히 제거되는 CF<TEX>$_{x}$</TEX>-polymer/SiO<TEX>$_{x}$</TEX>층을 남겼다. 100.angs.정도의 silicon light etch는 minority carrier life time과 thermal wave signal값을 초기 웨이퍼 수준까지 회복시켰으며 접합누설 전류도 거의 습식 식각 공정수준까지 감소시켰다.