A pulsed laser deposition technique was used to deposit ZnGa$_2$O$_4$ thin--film phosphors on Al$_2$O$_3$(0001) substrates at various substrate temperatures of 350, 450 and 550 $^\circ$C and fixed oxygen pressure 100 mTorr. The films grown under different deposition conditions were characterized using microstructural and luminescent measurements. The brightness of the ZnGa$_2$O$_4$ films on Al$_2$O$_3$(0001) substrates increases monotonically with the substrate temperature. The improvement in brightness with increasing temperatures may result from improved crystallinity. The luminescent spectra showd a broad band extending from 350 to 600 nm and peaking at 460 nm. The photoluminescence (PL) brightness data obtained from the ZnGa$_2$O$_4$ films grown under optimized conditions indicated that sapphire is a promising substrate for growing high--quality ZnGa$_2$O$_4$ thin--film phosphors.
ZnGa$_2$O$_4$ 형광체 박막을 산소 분압 100 mTorr에서 기판 온도를 350, 450, 550 $^\circ$C로 변화시키며 Al$_2$O$_3$(0001) 기판 위에 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착하였다. 다른 증착 조건하에서 성장한 박막들의 미세 결정구조와 형광특성을 조사하였다. 기판의 증착온도가 증가할수록 박막의 결정성이 좋아질 뿐 아니라 형광특성 또한 증가하였다. 발광 스펙트럼은 460 nm에서 최고 피크값을 나타내었으며, 350에서 600 nm까지 갖는 넓은 밴드의 형광 특성을 나타내었다. 최적의 조건에서 성장된 박막의 형광 밝기를 고려해볼 때 Al$_2$O$_3$(0001) 기판이 우수한 ZnGa$_2$O$_4$ 형광체 박막을 성장시킬 수 있는 기판들 중 하나임을 확인하였다.
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