$\beta$-In$_2$S$_3$ films were prepared on indium-tin-oxide (ITO)-coated glass substrates by using thermal evaporation. The crystallization was achieved by annealing the as-deposited films in a vacuum electric furnace. X-ray diffraction spectra showed that the crystal structure of the $\beta$-In$_2$S$_3$ films was that of a tetragonal defect spinel structure with lattice constants a = 7.62 $\AA$ and c = 32.33 $\AA$ and that the crystals were preferentially grown with a (1 0 9) orientation. The optical energy band gap, measured at room temperature, of the as-deposited $\beta$-In$_2$S$_3$ film was 1.84 eV and decreased to about 1.7 eV upon annealing in a vacuum electric furnace at temperatures from 200 $^\circ$C to 400 $^\circ$C. The dynamical behavior of the charge carriers in the $\beta$-In$_2$S$_3$ film was investigated by using photoinduced discharge characteristics (PIDC) techniques.
진공증착법으로 $\beta$-In$_2$S$_3$ 박막을 ITO (indium-tin-oxide) 유리 기판 위에 제작하였다. 결정화는 증착된 박막들을 진공 상태에서 200, 300, 400 $^\circ$C로 열처리함으로서 이룰 수 있었다. X-선 회절 분석에 의하여 증착된 $\beta$-In$_2$S$_3$ 박막의 살창 상수는 a=7.62 $\AA$와 c=32.33 $\AA$로서 정방정계 (tetragonal) 결함 스피넬 (defect spinel) 구조이었고, 열처리 온도를 증가시킴에 따라 (1 0 9) 방향으로 선택 성장됨을 알 수 있었다. 증착된 $\beta$-In$_2$S$_3$ 박막에 대하여 실온에서 측정한 광학적인 에너지 띠 간격은 1.84 eV이었고, 열처리 온도가 증가함에 따라 띠 간격도 감소하였으며 400 $^\circ$C에서 열처리된 박막의 광학적 에너지 띠 간격은 약 1.7 eV이었다. $\beta$-In$_2$S$_3$ 박막 내의 전하 운반자들의 동역학적 거동을 광유기 방전 특성 (PIDC: photoinduced discharge characteristics) 방법으로 조사하였다.
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