학술저널
본 연구에서는 STS-ICP ASEHR을 이용하여 Etch와 Deposition 공정을 반복하여 에칭을 하는 Bosch 식각에 관하 여 연구하였다. 기본적인 Etch rate의 변화는 Etching하고자 하는 Wafe에 Deposition된 PR 또는 SiO₂의 두께와 Etching하고자 하는 Wafer의 Depth 및 Pattern size가 영향을 준다. 그러나 이러한 기본적인 변수 외에 STS-ICP ASEHR 장비의 Platen power, Coil power 및 Process pressure에 다양한 변화를 주어 각 변수에 따른 Etch rate을 관찰하였다. 각 공정 별 변수를 준 결과 Platen power 12W, Coil power 500W, EtchlPassivation Cycle 6/7sec 일 경우 Etch rate은 1.2 ㎛/min 이었고, Sidewall prpfile은 90±0.2°로 나타나 매우 우수한 결과를 보였다. 이는 ICP를 이용한 Bosch Process에 의한 결과임을 확인 할수 있었다.
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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