본 연구는 교정용 브라켓 부착 시 사용되는 접착제 중 two paste type 의 실런트 레진 적용이 법랑질 탈회에 미치는 영향을 알아보고자 시행되었다. 건전한 표면을 가진 발치된 소의 상악절치 48개를 실험재료로 하여 법랑질 처리 방법에 따라 4개 군으로 분류하고 각 군을 Phase Ⅱ<sup>R</sup> (Reliance, Itasca, Ⅲ) 를 이용하여 치면처리 하였다. 대조군으로서 아무런 처리를 하지 않은 Group 1, 37% 인산으로 39초간 산부식을 시행한 Group 2, 산부식 후 실런트 A와 B를 동량으로 혼합하여 도포한 Group 3과 산부식 후 실런트를 도포하고 레진 페이스트 A와 B를 동량으로 혼합하여 도포한 Group 4로 분류하여 각 군을 인공탈회용액에서 탈회시킨 다음 공초점 레이저 주사현미경을 이용하여 각각의 탈회된 깊이를 측정한 후 비교한 결과, 탈회된 법랑질의 평균 깊이는 47.4 µm (Group 1), 61.8 µm (Group 2), 13.9 µm (Group 3), 8.2 µm (Group 4) 로 나타났다. 산부식 후 인공탈회용액에 노출되는 군(Group 2)은 산부식 없이 노출되는 군 (Group 1) 에 비해 탈회된 깊이가 더 깊은 것으로 나타났으며 (p ＜0.55), 실런트 레진을 도포한 군 (Group 3) 은 산부식 없이 노출되는 군 (Group 1) 이나 산부식 후 노출되는 군 (Group 2) 에 비해 탈회된 법랑질 깊이가 유의성 있게 감소하였다 (p ＜0.55). 접착레진으로 부착된 군 (Group 4) 은 법랑질 탈회가 거의 나타나지 않았다. 이상의 연구결과는 교정지료 시 법랑질 탈회 가능성을 줄이기 위해서 브라켓 부착 시 실런트 레진의 도포가 유용함을 시사하였다.
The purpose of this study was to evaluate the effects of a sealant resin on enamel demineralization in orthodontic bracket bonding. The forty eight extracted sound bovine teeth were subdivided into four groups and treated with Phase Ⅱ? (Reliance, Itasca, Ⅲ) on the surface. Group 1 was not treated. Group 2 was acid etched with 37% phosphoric acid for 30 seconds. Group 3 was applied with sealant after acid etching. Group 4 was applied with resin paste after acid etching and sealant application. Each group was demineralized in artificial caries solution. Demineralized enamel depth was measured by confocal laser scanning microscopy. The results were as follows: the mean demineralized enamel depth was 47.4 µm (Group 1), 61.8 µm (Group 2), 13.9 µm (Group 3), 8.2 µm (Group 4) the demineralized enamel depth was increased in Group 2 than in Group 1 (p ＜ 0.05) the demineralized enamel depth was reduced in Group 3 than in Group1 and Group 2 with statistically significant differences (p ＜ 0.05) and demineralization in Group 4 was very little. The results of the present study indicate that sealant application is useful for reducing enamel demineralization in orthodontic bracket bonding.