CMP 공정용 연마슬러리 분산안정성 확보를 위한 공정변수 도출 연구

A Study on the Derivation of Process Variables for Securing the Dispersibility of Abrasive Slurry for CMP Process

CMP(Chemical Mechanical Polishing)공정온 연마 대상 물질의 표면 에 화학적 변화를 주어 기계적 연마를 용이하게 함으로써 웨이퍼 상의 다양한 박막을 연마하여 웨이퍼 표면을 평탄화 하거나 제거하는 공정이다. 반도체 매모리에 대한 요구가 높아짐에 따라 CMP공정에서 사용하는 슬러리의 중요성이 부각되고 있다. 반도체 제조 공정의 결함 발생을 줄이고 생산 수율 향상을 위해 CMP 솔러리 재료의 조성 개발, 옹집 체 제어, 동적 안정성 확보 기 술 동에 대한 중요성이 중대 되고 있다. 1차 연마 후 2차 연마를 통해 최종 제품을 완성하게 됨에도 불구하고 기 존의 연구개발온 2차 연마 슬러리 중심의 기술개발을 수행하고 있다. 따라서 1차 연마슬러리를 최적화하여 고가의 2차 연마슬러리의 비중을 최소화하여 가격 경쟁력을 확보하기 위한 공정을 개발이 필요하다. 이를 위해 CMP 공정 시 웨이퍼 표면에 발생하는 스크래치를 최소화하기 위해서는 슬러리내의 분산이 찰 이 루어져야하며 용집된 연마입 자들이 없어야 한다. 본 연구에서는 슬러리 내 연마입자들의 용집현상을 막기 위해서 연마 슬러리에 첨가제를 넣어 입자의 분산안정성을 향상시키기 위한 공정변수를 도출하였다.